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受AI芯片需求拉动，存储大厂 SK 海力士递交 290 亿美元美国 IPO 申请
全球最大高带宽内存（HBM）供应商 SK 海力士今日正式向纳斯达克交易所递交上市招股书。
这家韩国企业计划发行至多 1779 万股股票，募资规模高达 294 亿美元。本次 IPO 有望成为史上第二大新股发行，仅次于 SpaceX 近期创下的 857 亿美元融资纪录。
全球过半的 HBM 内存都由 SK 海力士生产。HBM 是一种高速高价内存，专门为 AI 芯片提供数据存储服务。在人工智能行业爆发的带动下，该公司一季度营收同比暴涨 198%，达到 380 亿美元。盈利水平同样十分亮眼：截至 3 月 31 日的三个月内，净利润率高达 77%。
一套 HBM 内存模组最多可堆叠 12 颗存储芯片。芯片之间依靠硅通孔微线路（TSW）传输电力与数据。英伟达旗舰款鲁宾显卡就在计算芯片四周搭载了八组 HBM 模组，目前众多 AI 处理器都在采用这项技术。
相比普通 DRAM 内存，HBM 的核心优势是拥有更高带宽，能够大幅加快内存与处理器之间的数据传输速度。AI 模型需要在计算单元与内存之间高频调取数据，因此格外依赖 HBM 技术。
SK 海力士能够稳居 HBM 行业龙头，很大程度得益于自研的一整套热管理技术。HBM 模组的发热量远高于普通 DRAM 芯片，极易造成显卡运行故障，而海力士的产品可以高效散热，保障稳定运行。
构成 HBM 模组的堆叠芯片依靠微型金属凸点实现互联。海力士采用大规模回流模塑底部填充工艺（MR-MUF）来制作金属凸点。该工艺可以制作出散热虚设凸点，快速带走存储电路产生的热量。
MR-MUF 工艺还会为 HBM 模组覆盖一层专用高分子防护涂层。海力士表示，这种材料既能提升散热效率，又能降低硬件出错概率。
上个月，海力士推出了新一代散热技术 iHBM。这项技术在连接 HBM 与主芯片的 D2D 物理接口内部嵌入散热结构，能够在高数据流场景下稳定提升 HBM 运行性能。
放眼整个存储行业，SK 海力士同样稳居第一梯队。它是全球第二大闪存与 DRAM 内存厂商，后者广泛应用于笔记本电脑等消费电子设备。
本次 IPO 募集的资金将全部用于扩充产能。海力士准备在首尔近郊正在建设的龙仁产业园区内新建四座晶圆厂。整个产业园区总投资额将超过 2000 亿美元，还会聚集数十家半导体企业。
